Комплектующие Samsung
Фильтр
Фильтр
Показать товары
Сортировать по:
Показано
38 товаров из 38
38 товаров
SSD накопитель Samsung 870 EVO 250Gb (MZ-77E250BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
250 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 970 PRO 1Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2700 МБ/с
Тип ячеек памяти:
MLC
SSD накопитель Samsung 970 EVO Plus 256Gb (MZ-V7S250BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
256 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3500 МБ/с
Скорость записи:
2300 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb with Heatsink (MZ-V9P4T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Объем буфера обмена:
4096 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
Новинка
SSD накопитель Samsung 9100 Pro 2Tb (MZ-VAP2T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2048 ГБ
Объем буфера обмена:
2000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x4
Скорость чтения:
14800 МБ/с
Скорость записи:
13400 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND TLC
Новинка
SSD накопитель Samsung 9100 Pro 1Tb (MZ-VAP1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x4
Скорость чтения:
14700 МБ/с
Скорость записи:
13300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
Оперативная память Samsung 4Gb SODIMM DDR4-3200MHz (M471A5244BB0-CWE)
Назначение:
для настольных ПК
Тип:
DDR4
Общий объем:
4 ГБ
Количество планок:
1
Частота:
3200 МГц
Пропускная способность:
PC25600
SSD накопитель Samsung 870 QVO 1.0Tb (MZ-77Q1T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND
SSD накопитель Samsung 980 250Gb (MZ-V8V250BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
250 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
2900 МБ/с
Скорость записи:
1300 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D MLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 EVO 1Tb (MZ-V9E1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
5000 МБ/с
Скорость записи:
4200 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 QVO 2Tb (MZ-77Q2T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 EVO 4Tb (MZ-77E4T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 2Tb with Heatsink (MZ-V9P2T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
Оперативная память Samsung 32GB DDR4-3200MHz (M393A4K40EB3-CWEGY)
Назначение:
для настольных ПК
Тип:
DDR4
Общий объем:
32 ГБ
Количество планок:
1
Частота:
3200 МГц
Пропускная способность:
PC25600
Подсветка:
нет
SSD накопитель Samsung 990 PRO 1Tb with Heatsink (MZ-V9P1T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Тип ячеек памяти:
V-NAND 3-bit MLC
Оперативная память Samsung 64Gb DDR4-3200MHz (M393A8G40AB2-CWE)
Назначение:
для серверов
Тип:
DDR4
Общий объем:
64 ГБ
Количество планок:
1
Частота:
3200 МГц
Пропускная способность:
PC25600
Тайминги:
22
Подсветка:
нет
SSD накопитель Samsung PM1735 1.6Tb
Форм-фактор:
HHHL
Объем:
1600 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x8
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
2400 МБ/с
Время наработки на отказ:
2000000 ч
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Samsung 870 QVO 4Tb (MZ-77Q4T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND
Показано 38 из 38