SSD накопители: Время наработки на отказ 1500000 ч
Фильтр
Фильтр
Показать товары
Сбросить фильтры
Сортировать по:
Показано
20 товаров из 56
56 товаров
SSD накопитель MediaRange 512Gb Black (MR1023)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
535 МБ/с
Скорость записи:
470 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 EVO 1Tb (MZ-77E1T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Apacer AS350 256Gb Panther Retail
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
256 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
540 МБ/с
Скорость записи:
510 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
TLC
SSD накопитель Samsung 870 EVO 500Gb (MZ-77E500BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 EVO 2Tb (MZ-77E2T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
2048 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
Новинка
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2Tb (MZ-V9S2T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2
Скорость чтения:
7250 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 4Tb (MZ-V9S4T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2
Скорость чтения:
7250 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Silicon Power Ace A55 1Tb (SP001TBSS3A55S25)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
1024 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 980 PRO 2Tb
Форм-фактор:
M.2
Объем:
2000 ГБ
Объем буфера обмена:
1000 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7000 МБ/с
Скорость записи:
5100 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
Новинка
SSD накопитель Samsung PM9B1 256Gb (MZVL4256HBJD-00BL7)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
256 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
3300 МБ/с
Скорость записи:
1250 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb with Heatsink (MZ-V9P4T0GW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 1Tb (MZ-V9S1T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Объем буфера обмена:
1024 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7150 МБ/с
Скорость записи:
6300 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
Новинка
SSD накопитель Crucial P310 1Tb (CT1000P310SSD8)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
1000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7100 МБ/с
Скорость записи:
6000 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Silicon Power Ace A55 512Gb (SP512GBSS3A55S25)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
560 МБ/с
Скорость записи:
530 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb (MZ-V9P4T0BW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
SSD накопитель Samsung 870 QVO 8Tb (MZ-77Q8T0BW)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
8000 ГБ
Объем буфера обмена:
8000 МБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
530 МБ/с
Скорость записи:
560 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D QLC NAND
SSD накопитель Dahua DHI-SSD-C800AS480G
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
480 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
530 МБ/с
Скорость записи:
470 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Samsung 990 PRO 4Tb with Heatsink (MZ-V9P4T0CW)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
4000 ГБ
Объем буфера обмена:
4096 МБ
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4
Скорость чтения:
7450 МБ/с
Скорость записи:
6900 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND
Новинка
SSD накопитель Goodram PX500 Gen3 512Gb (SSDPR-PX500-512-80-G3)
Форм-фактор:
M.2
Объем:
512 ГБ
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4
Скорость чтения:
3200 МБ/с
Скорость записи:
2400 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D NAND
SSD накопитель Apacer AS340X 240Gb (AP240GAS340XC-1)
Форм-фактор:
2.5"
Объем:
240 ГБ
Интерфейс:
SATA III
Скорость чтения:
550 МБ/с
Скорость записи:
520 МБ/с
Время наработки на отказ:
1500000 ч
Тип ячеек памяти:
3D TLC NAND